應(yīng)屆畢業(yè)生
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職位描述
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工作職責:1. 負責3D NAND器件結(jié)構(gòu)研發(fā)、測試、數(shù)據(jù)分析 2. 負責存儲器器件工藝及電性分析，器件工藝參數(shù)優(yōu)化3. 負責NAND flash存儲器產(chǎn)品器件的可靠性驗證和分析 任職資格:1. 學歷：微電子/物理/電子科學與技術(shù)/材料等專業(yè)碩士及以上2. 工作年限：1年以上MOS 或 NOR flash或NAND flash 器件開發(fā)和數(shù)據(jù)分析經(jīng)驗或WAT測試相關(guān)經(jīng)驗3. 掌握扎實的半導體器件物理和半導體集成電路工藝制備知識4. 熟練掌握excel處理數(shù)據(jù)或Python編程或Matlab 編程三者之一5. 有4082測試相關(guān)經(jīng)驗者優(yōu)先6. 良好的 溝通能力， 閱讀英文文獻能力，和書面表達能力7. 待人誠懇，做事積極主動，工作嚴謹，責任心強，獨立的思考能力和分析總結(jié)能力
職能類別：半導體器件工程師
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工作地點
地址：武漢武漢
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職位發(fā)布者
HR
長江存儲科技有限責任公司
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電子技術(shù)·半導體·集成電路
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1000人以上
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公司性質(zhì)未知
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東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
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