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崗位職責(zé)： 1，存儲(chǔ)器器件電性分析，優(yōu)化器件可靠性 2，3D NAND存儲(chǔ)器件技術(shù)研發(fā) 崗位要求： 1,學(xué)歷：碩士及以上 2,專業(yè)：微電子，電子科學(xué)與技術(shù)，材料科學(xué)與技術(shù)等相關(guān)專業(yè) 3,工作年限：1年以上半導(dǎo)體工藝或器件相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn) 4,掌握半導(dǎo)體工藝，半導(dǎo)體物理，半導(dǎo)體器件物理 5,具備NAND flash， NOR flash，CMOS等器件研發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先 6,測(cè)試和分析問題能力：能夠分析和解決器件研發(fā)過程可能遇到的問題，包括下列測(cè)試經(jīng)驗(yàn)其中之一者優(yōu)先。 7,WAT 測(cè)試 8,存儲(chǔ)器陣列測(cè)試 9,半導(dǎo)體參數(shù)分析儀測(cè)試，例如Keithley 4200，Keysight B1500等 10,數(shù)據(jù)處理能力：具備 Python，JMP，Excel 宏 等數(shù)據(jù)處理經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 11,積極主動(dòng)，工作嚴(yán)謹(jǐn)，責(zé)任心強(qiáng)